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首頁 > 濱松可見光/近紅外熒光壽命測量方案

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# C12132近紅外熒光壽命測試儀之太陽能電池片應用


熒光壽命是研究太陽能電池(尤其是鈣鈦礦電池片以及薄膜電池片)的電荷載體動力學關鍵參數。通過測量器件的熒光壽命(亦或稱為時間分辨光致發光,TRPL),可以直接反應器件以及材料的性質。電池片器件的敏化劑的表面效應,鈍化和能量轉移效率以及摻雜劑,雜質和缺陷位點的存在可能引起熒光壽命的顯著變化。


由于CuInGaAs等材料在近紅外Ⅱ區的優秀光電轉化效率,太陽能電池片的近紅外熒光壽命測試越來越被廣泛需要。濱松C12132針對近紅外Ⅱ區的應用,選配了高靈敏度低暗噪聲的光電配增管,測量信號的動態范圍遠大于市面上的其他品牌產品。而在配置方面,C12132可以選配高能量以及低能量兩種YAG激光器;并針對YAG激光器進行了優化,使得結果更加穩定可靠。此外,多點測量、微區測量等對應的配件方案(見“常用配置及附件”)可以無縫銜接各種尺寸器件的熒光壽命檢測。


圖1. 經過氟化鉀(KF)處理(a & b)和沒有經過處理(c & d)的CuInGaAs太陽能電池的光致發光(photoluminescence,PL)光譜和衰減曲線(Progress in Photovoltaics: Research and Application, 25 (2017) 871-877)


# C12132近紅外熒光壽命測試儀之半導體材料應用


載體壽命的研究除了在太陽能電池領域受到關注以外,在半導體材料領域也同樣受到關注。近些年,關于Ge(鍺元素)基的新型半導體材料研究趨勢越來越多,Ge雖然本質上也是間接帶隙材料,是低效率的發光體。但是,Ge的間接程度比Si小很多,因此可以通過添加n型摻雜劑等,將Ge制成偽直接帶隙材料。由于Ge的發射波段在1600nm左右并且效率較低,需要高靈敏度低暗噪聲的探測手段,因此C12132非常適合Ge材料的研究。


圖2.不同厚度Ge薄膜樣品(Sample A 0.18um,Sample B 0.53um,Sample C 0.96um)的發射光譜(Srinivasan S A. Advanced Germanium Devices for Optical Interconnects: [D]. Universiteit Gent, 2018)


圖3.不同厚度Ge薄膜樣品(Sample A 0.18um,Sample B 0.53um,Sample C 0.96um)的時間分辨光譜(TRPL)(Srinivasan S A. Advanced Germanium Devices for Optical Interconnects: [D]. Universiteit Gent, 2018)


# C12132近紅外熒光壽命測試儀之近紅外發光材料應用


近紅外熒光生物成像技術由于具有深的組織穿透性、低背景熒光干擾、最小生物樣本光損傷等特點引起人們越來越多的關注。近紅外熒光染料用于生物成像時,除了具有近紅外吸收/發射波長、還熒光具有良好的水溶性和較低的生物毒性,特異的組織或細胞靶向性以及良好的細胞穿透性等,從而達到更安全、高效、靈敏的熒光成像目的。


圖4. 量子點(Quantum Dots,QD)的熒光壽命測量。其激發光為2.33eV(即532nm),發射光為0.95eV(即1305nm)(Journal of Crystal Growth, 416(15) (2015) 134-141)


# 常用配置及附件料


近紅外熒光生物成像技術由于具有深的組織穿透性、低背景熒光干擾、最小生物樣本光損傷等特點引起人們越來越多的關注。近紅外熒光染料用于生物成像時,除了具有近紅外吸收/發射波長、還熒光具有良好的水溶性和較低的生物毒性,特異的組織或細胞靶向性以及良好的細胞穿透性等,從而達到更安全、高效、靈敏的熒光成像目的。

# 參數



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